首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Cr/SiO2界面还原反应研究
引用本文:朱永法,苗冬.Cr/SiO2界面还原反应研究[J].真空科学与技术,1996,16(2):81-86.
作者姓名:朱永法  苗冬
摘    要:利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反庆产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与Si2的反应,其还原反应产物是CrSi和Cr2O2物种。界面还原反 速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向Si2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能力为72.5kJ/mol(约0.75eV)。

关 键 词:薄膜  界面反应  界面扩散  铬/二氧化硅
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号