Cr/SiO2界面还原反应研究 |
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引用本文: | 朱永法,苗冬.Cr/SiO2界面还原反应研究[J].真空科学与技术,1996,16(2):81-86. |
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作者姓名: | 朱永法 苗冬 |
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摘 要: | 利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反庆产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与Si2的反应,其还原反应产物是CrSi和Cr2O2物种。界面还原反 速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向Si2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能力为72.5kJ/mol(约0.75eV)。
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关 键 词: | 薄膜 界面反应 界面扩散 铬/二氧化硅 |
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