| 电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响 |
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| 引用本文： | 叶德洪,王津生. 电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响[J]. 电镀与精饰, 2013, 35(10) |
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| 作者姓名： | 叶德洪 王津生 |
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| 作者单位： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司,天津,300385 |
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| 摘 要： | IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题.讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素.通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响.通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险.实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验.
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| 关 键 词： | IC封装 第二焊线区分层 电镀 电解去溢料 引线框架 |
Impacts of Electro-deflash Processing Parameters on 2nd Bond Delamination for IC Plastic Packaging |
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| YE De-hong , WANG Jin-sheng. Impacts of Electro-deflash Processing Parameters on 2nd Bond Delamination for IC Plastic Packaging[J]. Plating & Finishing, 2013, 35(10) |
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| Authors: | YE De-hong WANG Jin-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IC plastic packaging second bond delamination plating electro-deflash lead frame |
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