多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究 |
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引用本文: | 李朝林. 多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究[J]. 电子工程师, 2004, 30(9) |
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作者姓名: | 李朝林 |
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摘 要: | 介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃~ 150℃,通用性强.
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关 键 词: | 多晶硅电阻 压力传感器 灵敏度 温度补偿 温度系数 |
A Study on the Temperature Coefficient of Sensitivity Self-compensation Technology of Polysilicon Pressure Sensor |
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Abstract: | |
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