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电子束曝光中低能电子散射的模拟
引用本文:罗晓斌,于肇贤.电子束曝光中低能电子散射的模拟[J].微纳电子技术,2009,46(1).
作者姓名:罗晓斌  于肇贤
作者单位:北京信息科技大学理学院,北京,100101
摘    要:介绍了Pendry弹性散射截面,描述了电子在固体中的散射过程,包括散射步长、散射角、方位角和散射点处能量的确定,并将Pendry截面和Monte Carlo计算方法应用到电子散射过程中。分别改变入射电子束能量、抗蚀剂厚度和衬底材料,模拟了能量不超过5keV的低能电子束在PMMA抗蚀剂中的散射轨迹。模拟结果表明,低能电子束曝光同样可应用于较高分辨率的表面成像技术工艺。通过对模拟结果和电子束曝光实验比较分析,可以进一步完善散射模型,为更深入开展电子束曝光技术的应用研究创造有利条件,同时也为开发低成本的低能电子束曝光系统提供了理论依据。

关 键 词:电子束光刻  Pendry截面  低能电子束  散射轨迹  分辨率

Simulation of Low-Energy Electron Scattering in Electron Beam Exposure
Luo Xiaobin,Yu Zhaoxian.Simulation of Low-Energy Electron Scattering in Electron Beam Exposure[J].Micronanoelectronic Technology,2009,46(1).
Authors:Luo Xiaobin  Yu Zhaoxian
Affiliation:School of Science;Beijing Information Science and Technology University;Beijing 100101;China
Abstract:Pendry elastic scattering cross section was introduced.The scattering process of electrons in solids was described,such as the determination of scattering step size,scattering angle,azimuth angle and energy at scattering points.Furthermore,Pendry cross section and Monte Carlo calculation method were applied to the electron scattering process.The scattering track of the low-energy electron beam under 5 keV in PMMA resists was simulated by changing incident energy of electron beam,thickness of resists and sub...
Keywords:electron beam lithography  Pendry cross section  low-energy electron beam  scattering track  resolution  
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