| 光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光 |
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| 引用本文： | 张吉英,申德振.光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光[J].光电子．激光,1998,9(6):443-445. |
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| 作者姓名： | 张吉英 申德振 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”高技术光电子主题,国家自然科学基金,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助 |
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| 摘 要： | 用光助低压ＭＯＣＶＤ进行ＺｎＳｅ及ＺｎＳｅ：Ｎ外延层生长，由发光光谱表明，在光助下生长的本征ＺｎＳｅ外延膜具有高质量：ＺｎＳｅ：Ｎ外延层中与Ｎ有关的深中心发射得到有效抑止，其ｐ－ＺｎＳｅ受主载流子深度达３×１０＾１７ｃｍ＾－３。在制备ｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＱＷ／ｐ－ＺｎＳｅ结构中，在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光（ＥＬ）。
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| 关 键 词： | 光助MOCVD 室温 蓝色EL 外延生长 硒化锌 |
Photo assisted Growth of p ZnSe and Room Temperature EL of ZnSe Diodes |
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| Zhang,Jiying,Shen,Dezhen,Fan,Xiwu,Lu,Youming,Yang,Baojun.Photo assisted Growth of p ZnSe and Room Temperature EL of ZnSe Diodes[J].Journal of Optoelectronics·laser,1998,9(6):443-445. |
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| Authors: | Zhang Jiying Shen Dezhen Fan Xiwu Lu Youming Yang Baojun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p ZnSe epilayer photo assisted growth blue EL ZnSe dioders |
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