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光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光
引用本文:张吉英,申德振.光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光[J].光电子.激光,1998,9(6):443-445.
作者姓名:张吉英  申德振
作者单位:中国科学院长春物理研究所
基金项目:国家“八六三”高技术光电子主题,国家自然科学基金,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助
摘    要:用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSe:N外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量:ZnSe:N外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止,其p-ZnSe受主载流子深度达3×10^17cm^-3。在制备n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL)。

关 键 词:光助MOCVD  室温  蓝色EL  外延生长  硒化锌

Photo assisted Growth of p ZnSe and Room Temperature EL of ZnSe Diodes
Zhang,Jiying,Shen,Dezhen,Fan,Xiwu,Lu,Youming,Yang,Baojun.Photo assisted Growth of p ZnSe and Room Temperature EL of ZnSe Diodes[J].Journal of Optoelectronics·laser,1998,9(6):443-445.
Authors:Zhang  Jiying  Shen  Dezhen  Fan  Xiwu  Lu  Youming  Yang  Baojun
Abstract:
Keywords:p  ZnSe  epilayer  photo  assisted  growth  blue  EL  ZnSe  dioders
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