首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

掺Cr^4+饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量
引用本文:张行愚,赵圣之.掺Cr^4+饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量[J].光电子.激光,1998,9(6):453-457.
作者姓名:张行愚  赵圣之
作者单位:山东大学光电系,山东大学晶体材料研究所,电子工业部11所
基金项目:山东省自然科学基金,山东大学跨世纪基金
摘    要:本文给出一种测量掺Cr^4+饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法,并用之测量国产Cr^4+:YAG的两个吸收截面分别为4.3×10^-18cm^2和8.2×10^19cm^2;同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μs量级基态恢复时间的方法,并用之测得国产Cr^4+:YAG的基态恢复时间为3.2μs。

关 键 词:饱和吸收体  吸收截面  恢复时间  泵浦  激光材料

Measurement of Absorption Cross Section and Ground State Recovery Time of Cr 4+ doped Saturable Absorber
Zhang Xingyu Zhao Shengzhi Wang Qingpu Wang Songtao Sun Lianke,Zhang Shaojun,Yao Guangto,Zhang Zhenya.Measurement of Absorption Cross Section and Ground State Recovery Time of Cr 4+ doped Saturable Absorber[J].Journal of Optoelectronics·laser,1998,9(6):453-457.
Authors:Zhang Xingyu Zhao Shengzhi Wang Qingpu Wang Songtao Sun Lianke  Zhang Shaojun  Yao Guangto  Zhang Zhenya
Affiliation:Zhang Xingyu Zhao Shengzhi Wang Qingpu Wang Songtao Sun Lianke 1 Zhang Shaojun 1 Yao Guangto 2 Zhang Zhenya 2
Abstract:
Keywords:saturable absorber  ground state  excited state  absorption cross section  pump  probe technique  recovery time  Cr    4+  :YAG crystal
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号