首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高激发密度下ZnCdTe—ZnTe多量子阱的受激发射性质
引用本文:郑泽伟 范希武. 高激发密度下ZnCdTe—ZnTe多量子阱的受激发射性质[J]. 光电子.激光, 1998, 9(2): 100-101
作者姓名:郑泽伟 范希武
作者单位:南京空军气象学院物理教研室,中国科学院长春物理研究所
摘    要:本文报导了ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射性质,通过改变激光发光强度,并在不同的方向接收样品的光发射,将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论,认为该材料的受激发射过程就是n=1重空穴激子参与的一系列过程。

关 键 词:多量子阱 激子 受激发射 半导体材料

The Properties of Stimulated Emission in ZnCdTe ZnTe Multiple Quantum Wells at High Excitation Intensity
Zheng Zewei Fan Xiwu Zheng Zhuhong Zhang Jiying. The Properties of Stimulated Emission in ZnCdTe ZnTe Multiple Quantum Wells at High Excitation Intensity[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 1998, 9(2): 100-101
Authors:Zheng Zewei Fan Xiwu Zheng Zhuhong Zhang Jiying
Affiliation:Zheng Zewei Fan Xiwu 1 Zheng Zhuhong 1 Zhang Jiying 1
Abstract:In this artical,the properties of stimulated emission in ZnCdTe ZnTe MQWs are reported.Changing excitation intensity and collecting lightin different direction from the sample,it gives a series of spectra.From the spectra we can come to the conclusion that the processes of stimulated emission in this material is jest the processes that excitons participated in.
Keywords:multiple quntum wells  exciton  stimulated emission
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号