| Si1-x-y GexCy的淀积工艺和材料特性 |
| |
| 引用本文： | 肖胜安,季伟.Si1-x-y GexCy的淀积工艺和材料特性[J].半导体技术,2012,37(7):517-521,571. |
| |
| 作者姓名： | 肖胜安 季伟 |
| |
| 作者单位： | 上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206;上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206 |
| |
| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目(20118X02506) |
| |
| 摘 要： | 研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不同,在单晶硅上成长的是单晶态的Si1-x-yGexCy,在除单晶硅之外的材料上成长的都是多晶态的Si1-x-yGexCy,多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率。多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率,造成了淀积工艺完成后有源区CD的减少。利用低温淀积工艺和控制浅沟槽隔离(STI)凹陷的深度,可以有效减少由于淀积Si1-x-yGexCy薄膜造成的有源区CD减少量。同时,研究了碳组分对硼扩散的抑制作用,碳组分越高,对硼扩散的抑制作用越大。
|
| 关 键 词： | Si1-x-yGexCy 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散 |
Deposition Process and Material Characteristic of Si1-x-yGexCy |
| |
| Xiao Sheng’an,Ji Wei.Deposition Process and Material Characteristic of Si1-x-yGexCy[J].Semiconductor Technology,2012,37(7):517-521,571. |
| |
| Authors: | Xiao Sheng’an Ji Wei |
| |
| Affiliation: | (ShangHai HuaHong NEC Electronics Company Limited,Shanghai 201206,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
