|
|||||
|
|
| 用于辐照加固器件的ELO SOI技术 | |
| 作者姓名： | Liu ST 秦邻 |
| 作者单位： | 霍尼韦尔公司 |
| 摘 要： | 本文讨论了制作绝缘体上硅(SOI)结构的外延横向过生长技术(ELO),并通过在SOI结构上制作的nMOS晶体管验证ELO SOI材料质量和器件总剂量加固性能。在SOI结构上制作的nMOS晶体管显示出了好的辐射特性,例如,发现剂量为10~5戈瑞(硅)的辐射诱发变化为,阈值电压漂移=-0.25V,跨导衰减=18％。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 辐射加固器件 ELO SOI |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |