| 具有缓变结的蓝色有机电致发光器件 |
| |
| 引用本文： | 张浩,刘善鹏,黄伟,委福祥,蒋雪茵,张志林.具有缓变结的蓝色有机电致发光器件[J].光电子．激光,2007,18(8):893-895. |
| |
| 作者姓名： | 张浩 刘善鹏 黄伟 委福祥 蒋雪茵 张志林 |
| |
| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院,新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,201800 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金
,
国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 针对通常的突变异质结(HJ)结构的蓝色有机发光器件(OLED)稳定性差这一难题,制备了一种具有缓变结(GJ)的蓝色OLED,在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间构成GJ.与常规的HJ OLED相比,具有GJ器件的稳定性明显提高.在初始亮度为100 cd/m2时半寿命达到6998 h,是一般HJ器件的6倍.这主要是因为削弱了突变HJ产生的局部高电场,减少了产生的焦耳热,从而提高了器件的稳定性.但是,GJ器件效率相比HJ没有提高.因为GJ增大了空穴注入,空穴是多数载流子,这样不利于载流子的平衡.为了补偿效率损失,在TBADN/Alq界面上插入Gaq薄膜.由于Gaq的LUMO能级在Alq和TBADN的LUMO能级间,形成了从Alq经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率.这种GJ Gaq器件的效率比一般GJ器件提高20%,寿命是HJ器件的7倍.
|
| 关 键 词： | 蓝色有机电致发光器件(OLED) 缓变结(GJ) 稳定性 效率 阶梯势垒 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）08-0893-03 |
| 收稿时间： | 2006/9/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2006-09-102006-11-30 |
Blue Organic Light Emitting Diodes with Graded Junction |
| |
| ZHANG Hao,LIU Shan-peng,HUANG Wei,WEI Fu-xiang,JIANG Xue-yin,ZHANG Zhi-lin.Blue Organic Light Emitting Diodes with Graded Junction[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(8):893-895. |
| |
| Authors: | ZHANG Hao LIU Shan-peng HUANG Wei WEI Fu-xiang JIANG Xue-yin ZHANG Zhi-lin |
| |
| Affiliation: | Department of Materials Science,Shanghai University,Key Laboratory of Advanced Display and System Applica tion, EMC, Shanghai 201800,China |
| |
| Abstract: | A blue organic light emitting diode(OLED) with a graded junction(GJ) at hole transporting layer(HTL) and emitted layer(EML) interface was constructed.Compared with the conventional heterojunction(HJ) OLED,GJ OLED exhibited significantly improved stability,and the half lifetime achieved 6998 h at initial luminance 100 cd/m2,which is more than 6 times longer than that of HJ OLED.And a Gaq thin layer is inserted in the TBADN/Alq interface,the step barrier from Alq Gaq to TBADN for electron injection is though formed.The GJ devices with Gaq layer show 20% higher efficiency than that of conventional and 7 times longer lifetime than that of HJ one. |
| |
| Keywords: | blue OLED graded junction(GJ) stability efficiency s step barrier |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
