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| 集成铁电器件中的关键工艺研究 | |
| 引用本文： | 杨轶,张宁欣,任天令,刘理天.集成铁电器件中的关键工艺研究[J].仪器仪表学报,2003,24(Z2):192-193. |
| 作者姓名： | 杨轶 张宁欣 任天令 刘理天 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 基金项目： | 国军"863"(2002AA404500)和"973"(G1999033105)资助项目. |
| 摘 要： | 对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和干法刻蚀工艺实现了金属铂(Pt)电极图形,为集成铁电器件的实现提供了良好的工艺基础. |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 刻 蚀 剥 离 |
Study on the Key Processes of Integrated Ferroelectric Device |
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| Keywords: | |
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