控制极结构的改进及其效果——简易双扩散法制造放大控制极可控硅

一、前言 随着可控硅整流元件的耐压和电流容量的不断提高,元件在生产、科研和国防上的应用也越来越广。对于高电压大功率的可控硅整流元件来说,在使用上不仅是要求有较高的阻断电压,大的额定电流,同时也要求元件有更好的动态特性。例如元件的开关速度、电流、电压上升率以及功率过载等等。以保证元件在使用上的安全可靠。这里简单地介绍在简易双扩散工艺的基础上制造放大控制极可控硅,进一步提高了元件的动态特性,以及在使用上的初步效果。