具有缓变带隙基区的双极晶体管

本文综合报导了第一只缓变基区双极晶体管。这个用MBE技术生长而成的器件有一个宽带隙Al_(0.35)Ga_(0.65)As发射区(n=2×10~(16)/cm~3)和一个厚度为0.4μm,其组分从Al_(0.2)Ga_(0.8)As线性变化到GaAs的p~+(=2×10~(18)/cm~3)基区。观察了该器件集电极特性,直流电流增益为35,曲线平坦,接近理想。缓变带隙基区的引入,由于电子感应的准电场作用,使基区渡越时间变得非常小,这就容许我们选择一个很好的方案来减小基区电阻。