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| 赝形δ掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs量子阱的光致发光性质研究 | |
| 作者姓名： | 王晓光 常勇 桂永胜 褚君浩 曹昕 曾一平 孔梅影 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 2. 中国科学院半导体研究所新材料部,北京,100083 |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家科技攻关项目 |
| 摘 要： | 测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化. |
| 关 键 词： | 量子阱 光致发光 |
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