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IGBT栅极驱动技术探讨
引用本文:王世杰.IGBT栅极驱动技术探讨[J].光学精密工程,2000,8(1):76-78.
作者姓名:王世杰
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
摘    要:绝缘栅双极二级管(IGBT)作为一种可控开关,获得了广泛应用.IGBT的栅极驱动技术是其应用的一个重要方面.在本文中着重讨论了IGBT栅极驱动及保护的基本问题,并介绍了几个新的应用实例.

关 键 词:绝缘栅双极二级管  栅极  驱动  保护
收稿时间:1999-09-10
修稿时间::

Technique of IGBT gate driving
WANG Shi,jie.Technique of IGBT gate driving[J].Optics and Precision Engineering,2000,8(1):76-78.
Authors:WANG Shi  jie
Affiliation:Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021, China
Abstract:Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) as controllable switch, has been a pplied widely. Technique of gate driving is an important aspect in IGBT usage. In this pape r, technique of gate driving and protection of IGBT are described. Three example s of IGBT gate driving circuit are presented.
Keywords:IGBT  gate driving  protection  
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