| 碲镉汞材料双面平坦化工艺研究 |
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| 引用本文： | 李春领,王春红,秦艳红.碲镉汞材料双面平坦化工艺研究[J].激光与红外,2017,47(8):992-995. |
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| 作者姓名： | 李春领 王春红 秦艳红 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 基金项目： | 国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助 |
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| 摘 要： | 通过对30 mm×25 mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2 μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。、
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| 关 键 词： | 碲镉汞 双面平坦化 平面度 倒装互连 |
Study on double-surface flattening process of HgCdTe material |
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| LI Chun-ling,WANG Chun-hong,QIN Yan-hong.Study on double-surface flattening process of HgCdTe material[J].Laser & Infrared,2017,47(8):992-995. |
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| Authors: | LI Chun-ling WANG Chun-hong QIN Yan-hong |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electron-Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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