| 氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响 |
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| 作者姓名： | 赵斌 唐立丹 王冰 冯佳恒 |
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| 作者单位： | (1.辽宁工业大学 材料科学与工程学院,辽宁 锦州121000;2.中国科学院 嘉兴微电子仪器与设备工程中心,浙江 嘉兴314000) |
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| 基金项目： | 国家教育部重点基金资助项目(2012031);辽宁省自然科学基金资助项目(2015020215);辽宁省高校优秀人才计划基金资助项目(LJQ2015050);辽宁省教育厅一般研究基金资助项目(L2015236);辽宁省高等学校创新团队基金资助项目(LT2013014) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10~(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
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| 关 键 词： | 梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜 磁控溅射 氩氧比 电阻率 透过率 |
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