| Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究 |
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| 引用本文： | 程兴旺,李祥,于宙,龙雪.Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究[J].材料工程,2009(1). |
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| 作者姓名： | 程兴旺 李祥 于宙 龙雪 |
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| 作者单位： | 北京理工大学,材料科学与工程学院,北京,100081 |
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| 摘 要： | 采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts＝400,600,800℃)对其结构和磁性的影响.结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性.结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子. 样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性.
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| 关 键 词： | 掺杂 稀磁 |
Magnetic Properties Study on Mn Doped ZnO Synthesized by Chemical Method |
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| CHENG Xing-wang,LI Xiang,YU Zhou,LONG Xue.Magnetic Properties Study on Mn Doped ZnO Synthesized by Chemical Method[J].Journal of Materials Engineering,2009(1). |
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| Authors: | CHENG Xing-wang LI Xiang YU Zhou LONG Xue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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