| 硅基3C-SiC的热氧化机理 |
| |
| 引用本文： | 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽. 硅基3C-SiC的热氧化机理[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 95-98 |
| |
| 作者姓名： | 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽 |
| |
| 作者单位： | 赵永梅（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;孙国胜（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;刘兴昉（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李家业（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;赵万顺（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王雷（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;罗木昌（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
| |
| 摘 要： | 采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar 溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
|
| 关 键 词： | 3C-SiC 热氧化 XPS 氧化机理 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0095-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-31 |
Mechanism of Thermal Oxidation of 3C-SiC Grown on Si |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
