硅基3C-SiC的热氧化机理 |
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引用本文: | 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽. 硅基3C-SiC的热氧化机理[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 95-98 |
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作者姓名: | 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽 |
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作者单位: | 赵永梅(中国科学院半导体研究所,北京,100083);孙国胜(中国科学院半导体研究所,北京,100083);刘兴昉(中国科学院半导体研究所,北京,100083);李家业(中国科学院半导体研究所,北京,100083);赵万顺(中国科学院半导体研究所,北京,100083);王雷(中国科学院半导体研究所,北京,100083);罗木昌(中国科学院半导体研究所,北京,100083) |
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摘 要: | 采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar 溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
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关 键 词: | 3C-SiC 热氧化 XPS 氧化机理 |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0095-04 |
修稿时间: | 2006-12-31 |
Mechanism of Thermal Oxidation of 3C-SiC Grown on Si |
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Keywords: | |
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