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| 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺 | |
| 作者姓名： | 赵妙 周代兵 谭满清 王晓东 吴旭明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083 |
| 摘 要： | 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性. |
| 关 键 词： | 薄膜 介质光学膜 双源电子束蒸发 折射率 蒸发速率 双源 电子束蒸发 蒸发制备 光学薄膜 工艺 Preparation Technology Electron Beam Evaporation Source Double 淀积 规律 混合膜 实验 变化 范围 大小 折射率 膜层 比例 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1586-04 |
| 收稿时间： | 2005-11-14 |
| 修稿时间： | 2006-05-12 |
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