| 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器 |
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| 引用本文： | 李敬.红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器[J].光电子．激光,2009(10):1278-1281. |
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| 作者姓名： | 李敬 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60777028,60723002,60838003); 国家重点基础研究计划资助项目(2006CB302804) |
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| 摘 要： | 利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式。采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响。
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| 关 键 词： | 光学微腔 半导体激光器 GaInP/AlGaInP 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 |
Red GaInP/AlGaInP square microcavity lasers |
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| LI Jing.Red GaInP/AlGaInP square microcavity lasers[J].Journal of Optoelectronics·laser,2009(10):1278-1281. |
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| Authors: | LI Jing |
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| Affiliation: | LI Jing,HUANG Yong-zhen,XIAO Jin-long,DU Yun,FAN Zhong-chao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | optical microcavity semiconductor lasers GaInP/AlGaInP inductively coupled plasma(ICP) etching |
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