| 单晶硅脆性微裂纹的透射电镜观察 |
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| 引用本文： | 张琼,蔡传荣,周海芳,周巧琴.单晶硅脆性微裂纹的透射电镜观察[J].电子显微学报,2000,19(4):509-510. |
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| 作者姓名： | 张琼 蔡传荣 周海芳 周巧琴 |
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| 作者单位： | 福州大学,福州,350002 |
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| 摘 要： | Rice和Thomson1]认为,如裂纹发射位错比解理扩展更困难,则裂纹解理扩展从而脆断。否则裂纹就钝化而韧断,故他们认为脆性裂纹扩展前不发射位错。实验工作已证明2,3]通过位错塞积模型可以形成脆性(解理)裂纹核,并研究了裂纹发射位错以及裂纹解理扩展的竞争过程。而有关室温下单晶硅的裂纹形核和位错组态则报道较少,由于其性能各向异性、缺陷少,容易避免或减少其他微观缺陷对研究的影响。本实验用显微压痕法可以诱发微裂纹产生,并使材料局部形变和断裂。实验用单晶硅尺寸为5mm×4mm×1mm,依次打磨、抛光、清洗后用HD-1000型维氏显微硬度计…
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| 关 键 词： | 单晶硅 脆性微裂纹 透射电镜 |
TEM study on the brittle nanocracks in single crystalline silicon |
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| ZHANG Qiong,CAI Chuan-rong,ZHOU Hai-fang,ZHOU Qiao-qin.TEM study on the brittle nanocracks in single crystalline silicon[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):509-510. |
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| Authors: | ZHANG Qiong CAI Chuan-rong ZHOU Hai-fang ZHOU Qiao-qin |
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