(Sn1-xCo2x)O2纳米拉子的制备及气敏性能研究 |
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作者姓名: | 彭同江 孙红娟 刘海峰 樊亮 |
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作者单位: | 西南科技大学矿物材料与应用研究所,四川绵阳621010 |
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摘 要: | 采用分析纯SnCl4·5H2O和NH3·H2O为主要原料,控制不同Co^2+/Sn^4+摩尔比,利用均匀共沉淀法制备了(Sn1-xCo2x)O2纳米粉体样品,并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结构、结晶性能和活性等分析发现,Co件以类质同像的方式代替了SnO2晶格中的Sn^4+,并引起了M—O键长、晶胞参数和M-O八面体电价平衡的非均一性,进而提高了粉体活性及n型半导体性能。在不同浓度H2中元件气敏性能测试表明,Co^2+的引入提高了Sn02的H2灵敏度。元件的灵敏度与H2浓度之间具有较好的线性关系。实验得到了制备(Sn1-x,Co2x)O2气敏材料的最佳Co^2+/Sn^4+摩尔比。
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关 键 词: | SnO2 气敏 掺杂 均匀共沉淀法 |
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