| 不断发展中的IGBT技术概述 |
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| 引用本文： | 周文定,亢宝位. 不断发展中的IGBT技术概述[J]. 中国集成电路, 2009, 18(1): 23-28 |
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| 作者姓名： | 周文定 亢宝位 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,北京,100022 |
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| 摘 要： | 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进，包括芯片集电结附近（下层）结构的改进（透明集电区），耐压层附近（中层）结构的改进（NPT，FS／SPT等）和近表层（上层）结构的改进（沟槽栅结构，注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT，Trench IGBT，Trenchstop—IGBT，SPT，SPT＋，IEGT，HiGT，CSTBT等。
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| 关 键 词： | 半导体元器件 晶闸管 芯片／沟槽栅 绝缘栅双极晶体管 |
The Summary on Continuous Development of IGBT Technology |
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| ZHOU Wen-ding,KANG Bao-wei. The Summary on Continuous Development of IGBT Technology[J]. China Integrated Circuit, 2009, 18(1): 23-28 |
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| Authors: | ZHOU Wen-ding KANG Bao-wei |
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| Affiliation: | (Beijing University of Technology, Beijing 100022, China) |
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| Abstract: | This paper presents the development of IGBT technology since the first IGBT concept has been introduced. It includes the new concept,new structure and relevant improvement of performance,such as transparent collector,field stop,trench gate,injection enhancement,all of these make up new products of NPT-IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT ,CSTBT,IEGT,HiGT ect. |
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| Keywords: | semiconductor device thyristor chip/trench gate insulated gate bipole transistor |
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