在ISX-B托卡马克中的电子回旋加热 |
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引用本文: | 曹黄强.在ISX-B托卡马克中的电子回旋加热[J].真空电子技术,1981(6). |
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作者姓名: | 曹黄强 |
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摘 要: | 本文报导了电子回旋加热试验的结果。在该实验中,35千兆赫回旋管以80千瓦的微波功率注入托卡马克,并且有大的单次通过吸收率。从环(torus——指托卡马克装置的环形等离子体室——译者注)的高场端射入10毫秒的微波脉冲,中心的电子温度从850电子伏增加到1250电子伏,这符合于经验的输送法则计算机程序卡的计算。首次由实验证明了,在托卡马克中电子温度随电子回旋加热的功率而线性地增长。
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