| 重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力 |
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| 引用本文： | 余学功,杨德仁,马向阳,杨建松,阙端麟.重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力[J].半导体学报,2003,24(6):598-601. |
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| 作者姓名： | 余学功 杨德仁 马向阳 杨建松 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;50032010; |
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| 摘 要： | 研究了重掺硼( HB)、重掺砷( HAs)以及重掺锑( HSb)直拉( CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力.将不同程度(～10 1 2 cm- 2 ,～10 1 4 cm- 2 )沾污Cr的硅片在N2 下进行常规的高-低-高三步退火,并由全反射X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面Cr的含量.结果表明在三种重掺硅中,HB硅片的内吸杂能力最强,HAs硅片次之,HSb硅片最低
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| 关 键 词： | 重掺直拉硅 氧沉淀 内吸杂 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)06-0598-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月25日 |
Inner Gettering of Heavily-Doping Silicon for Cr |
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| Yu Xuegong,Yang Deren,Ma Xiangyang,Yang Jiansong and Que Duanlin.Inner Gettering of Heavily-Doping Silicon for Cr[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(6):598-601. |
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| Authors: | Yu Xuegong Yang Deren Ma Xiangyang Yang Jiansong and Que Duanlin |
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| Abstract: | s:The inner gettering (IG) ability of heavily-doping silicon for Cr is investigated.After contaminating different concentration of Cr,the samples are three-step high-low-high IG annealing;the concentrations of Cr are measured by TRXF.It is concluded that the IG ability of boron heavily-doped wafer for Cr is the strongest. |
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| Keywords: | heavily-doped Czochralski silicon oxygen precipitation inner gettering |
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