| 适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液 |
| |
| 引用本文： | 王弘英,刘玉岭,张德臣.适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液[J].半导体学报,2002,23(2):217-221. |
| |
| 作者姓名： | 王弘英 刘玉岭 张德臣 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
| |
| 基金项目： | 天津市自然科学基金;013605911; |
| |
| 摘 要： | 采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料,解决了抛光液的悬浮问题,得到了很好的抛光表面.采用无金属离子的有机碱作络合剂及pH调制剂,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝胶问题.从而得到一种适用于甚大规模集成电路(ULSI)制备中铜互连线技术的化学机械抛光(CMP)的新型抛光液.
|
| 关 键 词： | 铜 ULSI 化学机械抛光 抛光液 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)02-0217-05 |
| 修稿时间： | 2001年6月29日 |
A New Type of Copper CMP Slurry in ULSI |
| |
| Wang Hongying,Liu Yuling and Zhang Dechen.A New Type of Copper CMP Slurry in ULSI[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(2):217-221. |
| |
| Authors: | Wang Hongying Liu Yuling and Zhang Dechen |
| |
| Abstract: | A new kind of slurry used in CMP of copper films is presented for the purpose of delineating and planarizing inlaid copper interconnections for multilevel metallization in silicon integrated circuits.A rigidity appropriated,non contaminated,nanometer degraded silicon dioxide is used,instead of Al 2O 3,which is an abrasive in traditional way.A non ions oxidant and organic alkali are also adopted to solve the problem of ions pollution and to avoid to jelling.The variety of slurry compounding on polishing parameters is discussed too. |
| |
| Keywords: | copper ULSI CMP slurry |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
