| 纳米级电子束直写曝光的基础工艺 |
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| 引用本文： | 刘明,陈宝钦,王云翔,龙世兵,陆晶,李泠.纳米级电子束直写曝光的基础工艺[J].半导体学报,2003,24(z1):226-228. |
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| 作者姓名： | 刘明 陈宝钦 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | Fundamental Technique of Direct Writing Electron Beam Nano-Lithography |
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| 摘 要： | 电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.
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| 关 键 词： | 电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)0-0226-03 |
| 修稿时间： | 2002年9月16日 |
Fundamental Technique of Direct Writing Electron Beam Nano-Lithography |
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