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| 典型电子器件中子和总剂量辐照协同损伤研究 | |
| 作者姓名： | 朱小锋 许献国 刘珉强 |
| 作者单位： | Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China |
| 基金项目： | 抗辐射加固预先研究资助项目(41411030101) |
| 摘 要： | 研究了几种典型电源类电子器件的中子和总剂量辐射效应,包括单总剂量效应、单中子辐射效应、总剂量和中子分时序贯辐照效应以及中子和总剂量同时辐照效应,分析了不同辐照条件下电子器件的失效中子注量(总剂量)阈值.试验结果显示,分时序贯、同时辐照试验给出的电子器件辐照失效阈值低,而单项辐射效应试验给出的失效阈值偏高.对于该类双极工... |
| 关 键 词： | 中子辐射效应 总剂量效应 协同效应 |
| 收稿时间： | 2019-10-17 |
| 修稿时间： | 2020-04-14 |
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