| 显示领域GaN发光二极管概述与专利分析 |
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| 引用本文： | 刘竞滢,陆然,王亮.显示领域GaN发光二极管概述与专利分析[J].电视技术,2014,38(Z2). |
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| 作者姓名： | 刘竞滢 陆然 王亮 |
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| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心 北京100190 |
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| 摘 要： | 介绍了氮化镓材料的发光二极管的工作原理,并以氮化镓发光二极管在国内外专利申请的数据为分析样本,从氮化镓发光二极管专利申请的时间、国家、技术概况等角度进行研究,分析了氮化镓发光二极管的技术发展现状,介绍了最早的相关专利,给出了申请量分布图、当前重要申请人介绍以及中国在该领域内的发展状况以及未来的发展趋势.
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| 关 键 词： | 氮化镓 发光二极管 显示 |
Overview and Patent Analysis of GaN LED in Display Field |
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| LIU Jingying,LU Ran,WANG Liang.Overview and Patent Analysis of GaN LED in Display Field[J].Tv Engineering,2014,38(Z2). |
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| Authors: | LIU Jingying LU Ran WANG Liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN LED display |
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