| 基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT |
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| 引用本文： | 于进勇,刘新宇,苏树兵,王润梅,徐安怀,齐鸣.基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT[J].半导体学报,2007,28(2):154-158. |
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| 作者姓名： | 于进勇 刘新宇 苏树兵 王润梅 徐安怀 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.
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| 关 键 词： | InP 异质结双极型晶体管 微空气桥 空气桥 自对准 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0154-05 |
| 收稿时间： | 8/11/2006 4:34:46 PM |
| 修稿时间： | 2006年8月11日 |
InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge |
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| Yu Jinyong,Liu Xinyu,Su Shubing,Wang Runmei,Xu Anhuai and Qi Ming.InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):154-158. |
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| Authors: | Yu Jinyong Liu Xinyu Su Shubing Wang Runmei Xu Anhuai and Qi Ming |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China |
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| Abstract: | |
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