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一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计
引用本文:王熠炜,孙江,叶文霞,陈宁锴,雷新宇,县文琦. 一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计[J]. 微电子学, 2022, 52(4): 566-571
作者姓名:王熠炜  孙江  叶文霞  陈宁锴  雷新宇  县文琦
作者单位:西南交通大学 信息科学与技术学院, 成都 611756
基金项目:国家自然科学基金重点项目(61731016)
摘    要:在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。

关 键 词:高压输入  高PSRR  带隙基准  负反馈  模拟集成电路
收稿时间:2021-12-07

A Bandgap Reference Circuit with High Voltage Input and High PSRR
WANG Yiwei,SUN Jiang,YE Wenxi,CHEN Ningkai,LEI Xinyu,XIAN Wenqi. A Bandgap Reference Circuit with High Voltage Input and High PSRR[J]. Microelectronics, 2022, 52(4): 566-571
Authors:WANG Yiwei  SUN Jiang  YE Wenxi  CHEN Ningkai  LEI Xinyu  XIAN Wenqi
Affiliation:School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China
Abstract:
Keywords:high-voltage input   high PSRR   bandgap reference   negative feedback   analog IC
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