| nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究 |
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| 引用本文： | 胡锐, 邓功荣, 张卫锋, 何雯谨, 冯江敏, 袁俊, 莫镜辉, 史衍丽. nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究[J]. 红外技术, 2014, (11): 863-867. |
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| 作者姓名： | 胡锐 邓功荣 张卫锋 何雯谨 冯江敏 袁俊 莫镜辉 史衍丽 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南 昆明,650223 |
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| 基金项目： | 国家自然基金重点项目，编号U1037602。 |
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| 摘 要： | 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器，从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究，研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外，研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较，测试结果显示：在77 K温度下，nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时，nBn器件暗电流变大2个量级，而p-i-n器件暗电流变大4个量级；nBn器件峰值探测率下降到1/5，p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作，适合高性能红外焦平面探测器的研制。
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| 关 键 词： | nBn 超晶格 InAs/GaSb 暗电流 Shockley-Read-Hall |
Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors |
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| HU Rui, DENG Gong-rong, ZHANG Wei-feng, HE Wen-jin, FENG Jiang-min, YUAN Jun, MO Jing-hui, SHI Yan-li. Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2014, (11): 863-867. |
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| Authors: | HU Rui DENG Gong-rong ZHANG Wei-feng HE Wen-jin FENG Jiang-min YUAN Jun MO Jing-hui SHI Yan-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nBn superlattice InAs/GaSb dark current Shockley-Read-Hall |
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