| CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺 |
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| 引用本文： | 孙玉宝,傅莉,任洁,查钢强.CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺[J].功能材料与器件学报,2010,16(5). |
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| 作者姓名： | 孙玉宝 傅莉 任洁 查钢强 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，教育部"新世纪人才支持计划"，陕西省自然科学基础研究计划 |
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| 摘 要： | 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
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| 关 键 词： | 氧离子刻蚀 CdZnTe晶片 表面性能 |
Atomic oxygen exposure process on CdZnTe pixel detector suface |
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| SUN Yu-bao,FU Li,REN Jie,CHA Gang-qiang.Atomic oxygen exposure process on CdZnTe pixel detector suface[J].Journal of Functional Materials and Devices,2010,16(5). |
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| Authors: | SUN Yu-bao FU Li REN Jie CHA Gang-qiang |
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