| 垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究 |
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| 引用本文： | 潘炜,张晓霞,罗斌,邓果,李孝峰,陈建国. 垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究[J]. 半导体学报, 2005, 26(2): 357-362 |
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| 作者姓名： | 潘炜 张晓霞 罗斌 邓果 李孝峰 陈建国 |
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| 作者单位： | 西南交通大学计算机与通信工程学院光通信与光器件研究所 成都610031(潘炜，罗斌，邓果，李孝峰)，电子科技大学光电信息学院 成都610054(张晓霞)，四川大学光电系 成都610064(陈建国) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 四川省应用基础研究计划 , 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 基于垂直腔半导体光放大器（VCSOA）双稳模型，从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现．结果表明，在阈值附近（大于阈值的93%）和初始相位失谐量为负的情况下，输出光功率出现双稳态．偏置电流为阈值的98%时，输入光功率在5.5μW和2.2μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好．同时，从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律．
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 VCSOA 双稳态 开关功率 双稳环简并 垂直腔 半导体 光放大器 双稳环宽 逻辑特性 理论研究 Optical Amplifier Semiconductor Vertical Cavity Characteristics Logic Study 规律 影响 对比度 简并 跳变点 开关功率 控制参数 端面反射率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)02-0357-06 |
| 修稿时间： | 2004-01-14 |
Theoretical Study of Bistable and Logic Characteristics in Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifier |
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| Pan Wei,Zhang Xiaoxia,Luo Bin,Deng Guo,Li Xiaofeng,Chen Jianguo. Theoretical Study of Bistable and Logic Characteristics in Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifier[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 357-362 |
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| Authors: | Pan Wei Zhang Xiaoxia Luo Bin Deng Guo Li Xiaofeng Chen Jianguo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifiers VCSOA optical bistability states power switching degenerate of hysteresis loop |
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