| SOI器件中浮体效应的研究进展 |
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| 引用本文： | 朱鸣,林成鲁,邢昆山. SOI器件中浮体效应的研究进展[J]. 功能材料与器件学报, 2002, 8(3): 297-302 |
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| 作者姓名： | 朱鸣 林成鲁 邢昆山 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
2. 中国兵器工业第二一四研究所,蚌埠233042 |
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| 摘 要： | SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。
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| 关 键 词： | SOI器件 浮体效应 研究进展 翘曲效应 寄生双极晶体管效应 |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)03-0297-06 |
| 修稿时间： | 2001-10-10 |
Development of floating body effect in SOI MOSFET''''s |
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| ZHU Ming ,LIN Cheng -lu ,XING Kun -shan. Development of floating body effect in SOI MOSFET''''s[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2002, 8(3): 297-302 |
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| Authors: | ZHU Ming LIN Cheng -lu XING Kun -shan |
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| Affiliation: | ZHU Ming 1,LIN Cheng -lu 1,XING Kun -shan 2 |
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| Abstract: | Because of the buried oxide in the sil icon -on -insulator(SOI )MOSFET,it is inevitable to introduce floating body effect(FBE).This effect may cause substantial i nfluences in the SOI device and circuit performance.In t his paper,the reasons of FBE are expl ained,and the influences of FBE on SOI device are also discusse d.Several outstanding structures a nd processes for suppressing the FBE are introduced. |
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| Keywords: | floating body effect kink effect parasitic bipolar transistor effec t SOI MOSFET |
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