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| β-SiC晶须缺陷的HREM观察 | |
| 引用本文： | 曹利,姚忠凯,陈峻,严勇.β-SiC晶须缺陷的HREM观察[J].硅酸盐学报,1990(4). |
| 作者姓名： | 曹利 姚忠凯 陈峻 严勇 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 (曹利)，哈尔滨工业大学 (姚忠凯)，南京大学 (陈峻)，南京大学(严勇) |
| 摘 要： | 用高分辨电镜(HREM)观察了β-SiC晶须的微观结构和缺陷,得到了分辨率为2(?)的高分辨象。结果表明,在β-SiC晶须中普遍存在层错,这些层错存在于(111)面和{111}面上。有些层错终止于晶体内部,形成Burgers矢量b=<111>α/3的Frank不全位错,此外还发现了晶须表面的生长附属物和晶须内的多重孪晶;分析了β-SiC晶须的长大机制。 |
| 关 键 词： | 增强材料 缺陷 位错 SiC晶须 |
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