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| ZnS的MBE光助同质外延生长 | |
| 作者姓名： | 高凯平 |
| 摘 要： | 本文报道了一种新的薄膜生长技术即:用元素Zn和元素S作为源材料并用分子束外延(MBE)法实现了ZnS的光助同质外延生长。用氙灯的350nm单色紫外线辐照,大大地改善了ZnS的结晶度。在260℃时,其生长速率约为0.6μm/h。用RHEED图,表面照像和光致发光光谱表明了晶体的性能。本文还讨论了辐照强度依赖关系以及生长机理。前言对光谱在蓝色到紫外的发光器件,例如发光二极管和激光二极管,ZnS是一种有前 |
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