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| 一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计 | |
| 引用本文： | 刘海文,孙晓玮,钱蓉,周旻,李征帆. 一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计[J]. 压电与声光, 2003, 25(2): 159-161 |
| 作者姓名： | 刘海文 孙晓玮 钱蓉 周旻 李征帆 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海交通大学,电子工程系,上海,200030 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 3. 上海交通大学,电子工程系,上海,200030 |
| 基金项目： | 国家"八六三"高科技计划资助项目(2002AA135270) |
| 摘 要： | 利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。 |
| 关 键 词： | 负阻特性 微带结构 S参数法 微波VCO 变容管调谐 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)02-0159-03 |
| 修稿时间： | 2002-09-26 |
Design of K-band Voltage-controlled Oscillator with GaAs MESFET |
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| Abstract: | |
| Keywords: | negative resistance microstrip S-parameter method microwave VCO varactor diode |
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