| 偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响 |
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| 引用本文： | 何玉娟,恩云飞,师谦,罗宏伟,章晓文,李斌,刘远.偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响[J].微电子学,2008,38(2):166-170. |
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| 作者姓名： | 何玉娟 恩云飞 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远 |
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| 作者单位： | 1. 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610
2. 华南理工大学 微电子研究所,广州,510640 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室基金
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.
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| 关 键 词： | X射线 总剂量辐射效应 辐射偏置 中带电压法 偏置 条件 NMOSFET 器件 射线 总剂量效应 影响 Dose Effect Total Bias 最优 结果 实验 电现象 阈值电压 界面态电荷 氧化物陷阱电荷 感生 总剂量辐射 辐照 |
| 文章编号： | 1004-3365(2008)02-0166-04 |
| 修稿时间： | 2007年8月8日 |
Influence of Bias on X-Ray Total Dose Effect in NMOSFET's |
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| HE Yujuan,EN Yunfei,SHI Qian,LUO Hongwei,ZHANG Xiaowen,LI Bin,LIU Yuan.Influence of Bias on X-Ray Total Dose Effect in NMOSFET''''s[J].Microelectronics,2008,38(2):166-170. |
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| Authors: | HE Yujuan EN Yunfei SHI Qian LUO Hongwei ZHANG Xiaowen LI Bin LIU Yuan |
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