| 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究 |
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| 引用本文： | 钱聪,张恩霞,贺威,张正选,张峰,林成鲁,王英民,王小荷,赵桂茹,恩云飞,罗宏伟,师谦. 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究[J]. 功能材料与器件学报, 2006, 12(4): 308-312 |
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| 作者姓名： | 钱聪 张恩霞 贺威 张正选 张峰 林成鲁 王英民 王小荷 赵桂茹 恩云飞 罗宏伟 师谦 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室),广州,510610;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国航天时代电子公司第771研究所,西安,710054;信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室),广州,510610 |
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| 摘 要： | 研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐照效应 环栅结构 H型栅结构 |
| 文章编号： | 1007-4252（2006）04-0308-05 |
| 收稿时间： | 2005-09-08 |
| 修稿时间： | 2005-10-20 |
Total-dose irradiation effect of partially-depleted NMOSFET/SIMOX with two different gate structures |
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| QIAN Cong,ZHANG En-xia,HE Wei,ZHANG Zheng-xuan,ZHANG Feng,LIN Cheng-lu,WANG Ying-min,WANG Xiao-he,ZHAO Gui-ru,EN Yun-fei,LUO Hong-wei,SHI Qian. Total-dose irradiation effect of partially-depleted NMOSFET/SIMOX with two different gate structures[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2006, 12(4): 308-312 |
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| Authors: | QIAN Cong ZHANG En-xia HE Wei ZHANG Zheng-xuan ZHANG Feng LIN Cheng-lu WANG Ying-min WANG Xiao-he ZHAO Gui-ru EN Yun-fei LUO Hong-wei SHI Qian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon on insulator total - dose irradiation effect gate - all - around structure H - gate structure |
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