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| InSbCID焦平面器件中介质膜的制备和应用 | |
| 引用本文： | 程开富.InSbCID焦平面器件中介质膜的制备和应用[J].半导体技术,1989(3):10-17. |
| 作者姓名： | 程开富 |
| 作者单位： | 机械电子工业部第四十四研究所 |
| 摘 要： | 本文介绍了等离子增强化学汽相淀积(简称PECVD)二氧化硅的生长原理.用硅烷(SiH_4)和二氧化碳(CO_2)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度.在60～300℃下,SiH_4流量为0.5～2.0升/分,CO_2流量为0.2～1.5升/分,淀积压力为0.8～3.5托,射频功率为20～50瓦,极板间距为12～20.5毫米的条件下淀积二氧化硅膜.给出了射频功率、淀积压力、气体流量比等对淀积速率的影响以及红外光谱分析结果.其次,简述了PECVD二氧化硅钝化膜的性能及其在全单片锑化铟红外电荷注入器件(FMInSbIRCID)研制中的应用情况. |
| 关 键 词： | InSbCID 焦平面器件 介质膜 制备 |
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