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| Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究 | |
| 引用本文： | 邢益荣,崔玉德,殷士端,张敬平,李侠,朱沛然,徐田冰.Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究[J].半导体学报,1995,16(7):491-496. |
| 作者姓名： | 邢益荣 崔玉德 殷士端 张敬平 李侠 朱沛然 徐田冰 |
| 摘 要： | 利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３ |
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