不均匀沟道场效应晶体管

本文描述了通过采用各种纵向不均匀的电阻率分布,即沟道的近源端比漏端具有更高的掺杂浓度后,场效应晶体管工作特性的改进。不均匀沟道场效应晶体管(ICFET)表明:在截止频率、器件增益输出功率和增益-带宽乘积方面均有显著改进,这仅仅是由于在沟道的近源端比漏端掺杂浓度高,而不管实际的分布如何。分析了各种不均匀沟道场效应晶体管,并与均匀的场效应晶体管作了如下比较:线性的,高斯,余误差函数和指数。已经得到了这些情况的每一种解,源端和漏端之间的掺杂浓度变化为10与1和100与1之比。掺杂浓度改变为100与1之比的线性情况,产生了器件性能惊人的改进,即增益或功率增加了30.7倍,而增益带宽乘积为955倍。