红外成象器件用InSb MIS结构

研制了在 77°K测量时具有好的界面性能的InSb金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。从暗电流的测量确定,对用于CCD或CID方式工作时,其存储时间在0.2秒范围。最近器件C-t测量表明,暗电流存储时间为≤0.7秒。用红外辐照表明,单元InSb MIS结构是电荷注入作用(CID)的存储形式。然而,存储器件工作在红外应用,因为它积分背景和信号两者的辐射,所以背景光子流是个主要问题。按照恰当的界面性质的解释,提出了器件电荷存储作用中减少背景光子流影响的一个新方法。这个新技术结合电耦合原理采用多门电极结构。