| 生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响 |
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| 作者姓名： | 贺继方 尚向军 李密锋 朱岩 常秀英 倪海桥 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60625405);国家重点基础研究发展计划(2007CB936304和2010CB327601) |
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| 摘 要： | 本文研究了斜切割（100）Ge衬底上InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的分子束外延生长（In组分为0.17或者0.3）。所生长的样品用原子力显微镜、光致发光光谱和高分辨率透射电子显微镜进行了测量和表征。结果发现,为了生长没有反相畴的GaAs缓冲层,必须对Ge衬底进行高温退火。在GaAs外延层和InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的生长过程中,生长温度是一个至关重要的参数。文中讨论了温度对于外延材料质量的影响机理。通过优化生长温度,Ge衬底上的InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的光致发光谱具有很高的强度、很窄的线宽,样品的表面光滑平整。这些研究表面Ge 衬底上的III-V族化合物半导体材料有很大的器件应用前景。
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| 关 键 词： | 砷化镓量子阱 量子阱结构 生长温度 分子束外延 量子质量 砷化铟镓 衬底 高分辨透射电子显微镜 |
| 收稿时间： | 2010-09-25 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
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