| 氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用 |
| |
| 引用本文： | 于映,吴清鑫,罗仲梓.氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用[J].传感技术学报,2006,19(5):1967-1969. |
| |
| 作者姓名： | 于映 吴清鑫 罗仲梓 |
| |
| 作者单位： | 1. 福州大学物理与信息工程学院,福州,350002
2. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省科技厅科研项目 |
| |
| 摘 要： | 氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.
|
| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 杨氏模量 MEMS 射频开关 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1967-03 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Study on Mechanical Property of Silicon Nitride Thin Film and the Application in RF MEMS Switches |
| |
| YU Ying,WU Qingxin,LUO Zhongzi.Study on Mechanical Property of Silicon Nitride Thin Film and the Application in RF MEMS Switches[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1967-1969. |
| |
| Authors: | YU Ying WU Qingxin LUO Zhongzi |
| |
| Affiliation: | 1. Depantment of Electronic Seience and Applied Physics , Fuzhou University , Fuzhou 350002, China;
2. SAPengtung Microelect romechanical Systems Research Center , Xiamen University , Xiamen 360005 , China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MEMS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《传感技术学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《传感技术学报》下载全文 |
|
