| 用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构 |
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| 引用本文： | 宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才. 用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(3): 319-322 |
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| 作者姓名： | 宁瑾 刘忠立 刘焕章 葛永才 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所微电子中心,传感技术国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构，然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料，既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点，又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。
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| 关 键 词： | 氧化多孔硅 牺牲层 制备 悬空微结构 阳极氧化 硅微机械加工技术 微型传感器 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)03-0319-04 |
| 修稿时间： | 2002-12-30 |
Fabrication of free standing structure using oxidized porous silicon as sacrificial layers |
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| NING Jin,LIU Zhong- li,LIU Huan- zhang,GE Yong- cai. Fabrication of free standing structure using oxidized porous silicon as sacrificial layers[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(3): 319-322 |
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| Authors: | NING Jin LIU Zhong- li LIU Huan- zhang GE Yong- cai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxidized porous silicon sacrificial layers free standing structure electrochemical etching |
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