| CVD金刚石薄膜成核机理的研究 |
| |
| 引用本文： | 薛运才,王丽军.CVD金刚石薄膜成核机理的研究[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版),2000,15(3):72-74. |
| |
| 作者姓名： | 薛运才 王丽军 |
| |
| 作者单位： | [1]郑州轻工业学院应用数理系 [2]郑州航空工业管理学院应用科学系 |
| |
| 摘 要： | 利用微波等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）设备，在硅基片上进行了金刚石薄膜的沉积实验。结果表明，在基片温度约为９５０℃，碳源浓度为１％，反应室内气体压力为４６６６．２８Ｐａ时可获得高质量金刚石薄膜。研究认为，在该实验条件下，氢原子脱附几率大，形成的碳县键不易倒伏，容易被碳原子替代，从而形成ＳＰ＾Ｅ杂化健，因而有利于提高金刚石的成核密度。
|
| 关 键 词： | 薄膜 金刚石 化学气相沉积 CVD 成核机理 密度 |
Study on diamond thin films nucleation mechanism by CVD |
| |
| XUE Yun cai,WANG Li jun.Study on diamond thin films nucleation mechanism by CVD[J].Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry(Natural Science),2000,15(3):72-74. |
| |
| Authors: | XUE Yun cai WANG Li jun |
| |
| Affiliation: | XUE Yun cai1,WANG Li jun2 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | thin film nucleation microwave plasma diam ond chemical vapor depositi\ |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
