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| 非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究 | |
| 引用本文： | 王岩松,张立功,徐世峰,苗元华,范翊,王文全,安立楠.非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(Z2):948-951. |
| 作者姓名： | 王岩松 张立功 徐世峰 苗元华 范翊 王文全 安立楠 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;吉林大学,吉林,长春,130021 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 3. 吉林大学,吉林,长春,130021 |
| 基金项目： | 中国科学院"百人计划"支持 |
| 摘 要： | 采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关. |
| 关 键 词： | 热裂解 非晶陶瓷 直流电导率 退火 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)S1-0948-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月28 |
Electrical Conductivity of Amorphous Si-B-C-N Precursor-Derived Ceramics |
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| Wang Yansong,Zhang Ligong,Xu Shifeng,Miao YuanHua,Fan Yi,Wang Wenquan,An Linan.Electrical Conductivity of Amorphous Si-B-C-N Precursor-Derived Ceramics[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(Z2):948-951. | |
| Authors: | Wang Yansong Zhang Ligong Xu Shifeng Miao YuanHua Fan Yi Wang Wenquan An Linan |
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